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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
92
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
40
读取速度,GB/s
2,105.4
15.0
写入速度,GB/s
1,266.1
16.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3119
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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