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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
92
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
36
读取速度,GB/s
2,105.4
16.0
写入速度,GB/s
1,266.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3071
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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