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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
92
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
41
读取速度,GB/s
2,105.4
15.6
写入速度,GB/s
1,266.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2685
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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