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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
21
读取速度,GB/s
14.9
16.7
写入速度,GB/s
9.5
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2691
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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