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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.9
19.6
写入速度,GB/s
9.5
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3432
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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