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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
14.9
15.7
写入速度,GB/s
9.5
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2767
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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