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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
40
读取速度,GB/s
3,573.5
9.1
写入速度,GB/s
1,308.1
6.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
1764
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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