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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
72
左右 -213% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
23
读取速度,GB/s
4,241.0
17.3
写入速度,GB/s
1,938.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2942
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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