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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
72
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
36
读取速度,GB/s
4,241.0
14.8
写入速度,GB/s
1,938.7
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2564
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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