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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
53
读取速度,GB/s
9.3
10.1
写入速度,GB/s
5.9
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2319
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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