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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
71
左右 -129% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
31
读取速度,GB/s
2,831.6
18.8
写入速度,GB/s
1,322.6
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3190
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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