RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
71
左右 -163% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
27
读取速度,GB/s
2,831.6
17.8
写入速度,GB/s
1,322.6
14.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3386
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link