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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

总分
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    53 left arrow 71
    左右 -34% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 1,322.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    71 left arrow 53
  • 读取速度，GB/s
    2,831.6 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    1,322.6 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    399 left arrow 2755

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
内存RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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