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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
71
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
62
读取速度,GB/s
2,831.6
14.3
写入速度,GB/s
1,322.6
11.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2710
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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