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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
71
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
36
读取速度,GB/s
2,831.6
14.7
写入速度,GB/s
1,322.6
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2554
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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