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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
71
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
34
读取速度,GB/s
2,831.6
15.4
写入速度,GB/s
1,322.6
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2739
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
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