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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
14.7
16.9
写入速度,GB/s
9.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3134
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
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