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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
6.1
18.4
写入速度,GB/s
5.0
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
3525
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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