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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
比较
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
总分
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
总分
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
13.7
10.0
写入速度,GB/s
8.3
6.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2270
1878
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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