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PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
AMD R7416G2133U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
78
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2133U2S 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
78
读取速度,GB/s
13.8
13.5
写入速度,GB/s
8.4
6.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1594
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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