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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
75
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
75
读取速度,GB/s
13.8
13.6
写入速度,GB/s
8.4
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1578
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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