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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.6
写入速度,GB/s
8.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3429
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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