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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

总分
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

差异 规格 评论

差异

PNY Electronics PNY 2GB 需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 34
    左右 21% 更低的延时
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 3041

PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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内存RAM
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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