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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
13.8
20.8
写入速度,GB/s
8.4
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3650
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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