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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
19.5
写入速度,GB/s
8.4
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3718
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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