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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
18.4
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3447
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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