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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
13.8
16.8
写入速度,GB/s
8.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3015
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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