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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2364
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
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