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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
18.3
写入速度,GB/s
8.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3529
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
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