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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
8.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3462
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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