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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
16.3
写入速度,GB/s
8.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2995
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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