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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
16.5
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2809
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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