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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.8
13.9
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2697
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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