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PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
81
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
81
读取速度,GB/s
13.8
13.3
写入速度,GB/s
8.4
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1456
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB RAM的比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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