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PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
22.6
写入速度,GB/s
8.4
16.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3597
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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