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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
16.4
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3123
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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