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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
16.3
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2738
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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