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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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更快的读取速度,GB/s
18.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
18.6
写入速度,GB/s
8.4
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3825
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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