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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
55
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
55
读取速度,GB/s
13.8
19.5
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2274
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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