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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
21.2
写入速度,GB/s
8.4
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4043
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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