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PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3438
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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