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PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs INTENSO 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.8
12.1
写入速度,GB/s
8.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2061
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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