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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965589-031.D01G 2GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.8
10.9
写入速度,GB/s
8.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2211
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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