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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
11.3
写入速度,GB/s
8.4
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2580
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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