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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
15.1
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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