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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
13.8
15.2
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2186
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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