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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2402
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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