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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
14.8
写入速度,GB/s
8.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2665
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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