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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.8
11.0
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2235
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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