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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.8
11.0
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2235
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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