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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
14.1
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2434
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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